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G01:維拉爾瓦方法
與顯式方法相反,這種過程需要對(duì)方程組進(jìn)行多次迭代,直到滿足終止條件。對(duì)于維拉爾 瓦等人提出的方法。[16],執(zhí)行幾個(gè)簡(jiǎn)單的方程,在每次迭代中增加串聯(lián)電阻的值接收站直到 實(shí)際的參數(shù)集可以模擬一個(gè)I-V曲線PM值非常接近于PM測(cè)量曲線的值。在實(shí)踐中,這個(gè)過程是 非常幼稚的,因?yàn)樗荒芴峁┮粋€(gè)二極管理想性因子m的估計(jì)。實(shí)際上,它需要一個(gè)值m作為輸 入?yún)?shù)。必須執(zhí)行以下步驟: (a)照片生成電流的值設(shè)置為:
Iph1=ISC1
(b)飽和電流采用(式(240))確定:
(c)Rs的初始值1已設(shè)置= 0 W。
(d)平行電阻通過(式(241)):
和Iph1,是1, m,接收站1和Rsh1.然后,Z大功率值P * M 1是估計(jì)。如果|P * M 1— P * M 1 |小于 一個(gè)閾值,我們已經(jīng)完成了。否則,我們繼續(xù)。 (f)串聯(lián)電阻的值以DR增加(該值可以調(diào)整, e.g., =博士0.001 W)。
(g)使用(式(242)和(243))更新平行電阻:
(h)使用(式(244))更新照片產(chǎn)生的電流:
(i)跳轉(zhuǎn)到步驟(e) (242) (243) (244) 此方法Z后使用(式(76))進(jìn)行糾正Iph并假設(shè)是常數(shù)值Rsh和接收站.Z終是在目標(biāo)條件下,可以被翻譯為 (方程(245)):
G02:Boutana方法
與之前的方法G01一樣,Boutana等人提出的方法。[73]還要求二極管理想性因子m作為輸 入。用來模擬I-V曲線的步驟是指(G2,T2)如下:
(a)首先,開路電壓的值由熱電壓歸一化,使用 (公式(246)):
(b)然后,在初始條件下的填充因子(G1,T1)是通過 (方程(247)):
(c)可以在不受寄生電阻影響的情況下估計(jì)一種填充因子(式(248)):
(d)然后,假設(shè)串聯(lián)電阻rs是常數(shù),可以用以下表達(dá)式(公式(249))來估計(jì):
(e)短路電流ISC2以及開路電壓第2版目標(biāo)下 條件(G2,T2)可以分別使用(式(15)和(43))來實(shí)現(xiàn)。 (f)再次,在(G2,T2)使用(式(250))進(jìn)行歸一化。然后,F(xiàn)F * 2 也可以使用(式(251))進(jìn)行計(jì)算:
(g)一種標(biāo)準(zhǔn)化的串聯(lián)電阻rs2 指(G2,T2)可以計(jì)算 (方程(252)):
(h)目標(biāo)條件下的填充因子(G2,T2)可以近似地使用 以下表達(dá)式(等式(253)):
(i)初始化了一個(gè)輔助變量S = 1。 (j)對(duì)于一個(gè)包含電壓點(diǎn)Vj的網(wǎng)格中的每個(gè)點(diǎn)j,都可以產(chǎn)生一個(gè)電流值 Ij(如式(254))所示:
(k)計(jì)算了該新曲線的主要電參數(shù)(包括FFr)。(l)如果|FFr-FF2|小于閾值,則完成。否 則,繼續(xù)。 (m)S的值增加了DS(這個(gè)值可以調(diào)整,e。g., DS = 0.01).(n)跳轉(zhuǎn)到步驟(j) 一旦我們完成了,在步驟j)中生成的I-V曲線是修正后的I-V曲線,指的是(G2,T2).
G03:卡雷羅法
這個(gè)程序允許估計(jì)SDM [74]的五個(gè)參數(shù)。下面要的步驟列表是 (a)首先,二極管理想性因子m的初始值0是計(jì)算使用 (方程式(255)-(258)):
(b)串聯(lián)電阻和平行電阻的初始值均由 (式(259)至(261))的平均值:
(c)更新二極管理想性因子m(方程(262)-(268)):
(d)兩種寄生電阻均根據(jù)(式(269)-(271))進(jìn)行更新:
(e)如果Rs的變化1小于閾值,循環(huán)應(yīng)該停止,我們繼續(xù) 步驟(f)。否則,我們將跳轉(zhuǎn)到步驟(c). (f)照片生成的電流Iph1通過(式(272))和 飽和電流是1使用(方程(273)):
G04:斯托內(nèi)利的方法
在這種方法[75]中,必須執(zhí)行以下步驟:
(a)該方法的D一步是假設(shè)二極管理想性因子的初始值m=1
(b)第二步包括估計(jì)串聯(lián)電阻Rs的值1,飽和度動(dòng)量電流是1,以及照片生成的電流Iph1通過(公式(275)-(277)):
(c)我們需要獲得MPP處電壓的計(jì)算值:
(d)如果實(shí)際的VOC1與計(jì)算出的V之間存在差異* O C1如果小于一個(gè)閾值,我們必須跳轉(zhuǎn)到步驟(f) 。在其他情況下,我們會(huì)繼續(xù)說下去。 (e)如果VOC1> V * O C1,二極管理想性因子m的值增加了Dm。否則, (第1版< V * O C1 )m減少了Dm(例如,Dm的值可以為0.01)?,F(xiàn)在,我們跳轉(zhuǎn)到步驟(b). (f)一旦確定了m的值,在程序的第二部分中,該值的Rsh1是調(diào)整。Rsh的初始值1由(式(279)和(280))表示:
(g)飽和電流為1使用(公式(281))進(jìn)行更新:
(h)光電電流Iph1使用(式(282))確定:
(i)一旦我們有了Iph的值1,是1, m,接收站1和Rsh1,則可以解析SDM模型,從而得到I * M 1 ,與 測(cè)量值對(duì)應(yīng)的電流的計(jì)算值VM1根據(jù)這一組參數(shù)。 (j)如果實(shí)際情況之間的差異IM1和計(jì)算出來的我* M 1小于 閾值,我們就可以完成這個(gè)循環(huán)了。否則,我們繼續(xù)。 (k)如果IM1< I * M 1,平行電阻的值Rsh1增加了德爾什1 .如果不是, (IM1> I * M 1 ), Rsh1減少了德爾什1(的價(jià)值德爾什1例如,可以是0 W)。.1然后,我們跳 轉(zhuǎn)到第g步)
(l)Z后,我們可以執(zhí)行從(G1,T1)至(G2,T2)使用(方程(76), (77)、(79)和(80))。 其余的方法(從G05到G08)分別與G01到G04相同,僅改變(式(76))為(式(88))。